Keysight Technologies: Новая версия САПР для моделирования и измерения параметров полупроводниковых приборов
08.04.2016
Keysight Technologies выпустила новую версию САПР для моделирования и измерения параметров полупроводниковых приборов
ПО дополнительно улучшает процесс моделирования, повышает эффективность измерения параметров и поддерживает новейшие модели, значительно повышая скорость измерений
Ключевые нововведения:
- САПР IC-CAP предоставляет полное решение DynaFET System для моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN и GaAs с существенно повышенной скоростью.
- ПО MBP поддерживает BSIM-IMG для технологий FD-SOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе).
- ПО MQA поддерживает смешанный синтаксис SPICE и расширенную библиотеку 16-нанометрового интерфейса моделирования TSMC (TMI).
Компания Keysight Technologies объявила о выпуске новой версии лучшего в отрасли пакета ПО для моделирования и измерения параметров полупроводниковых приборов: Integrated Circuits Characterization and Analysis Program (IC-CAP) 2016, Model Builder Program (MBP) 2016 и Model Quality Assurance (MQA) 2016. Новые версии ПО предоставляют разработчикам, занятым измерением параметров и моделированием полупроводниковых приборов, дополнительные преимущества и повышают эффективность их работы.
САПР IC-CAP 2016
САПР IC-CAP 2016 компании Keysight предназначена для моделирования полупроводниковых приборов и содержит разнообразные функции измерения параметров и их анализа, использующие современные технологии моделирования полупроводников. САПР IC-CAP 2016 предоставляет полное решение DynaFET System для моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN и GaAs, широко применяемых в ВЧ-усилителях мощности. В САПР IC-CAP входят программные средства измерения и моделирования, позволяющие извлекать модели DynaFET, используемые в САПР Advanced Design System (ADS). Эти модели разработаны специально для моделирования HEMT-транзисторов на основе GaAs и GaN.
Основным преимуществом модели ADS DynaFET является её способность точно предсказывать динамические эффекты памяти, порождённые тепловыми эффектами и эффектами захвата носителей заряда, что, в свою очередь, даёт непревзойдённую точность прогнозирования усиления и КПД добавленной мощности (PAE) – двух ключевых параметров ВЧ усилителей мощности. Специальное измерительное ПО регистрирует данные в режиме большого сигнала с помощью анализатора нелинейных электрических цепей (NVNA) компании Keysight. Затем сигналы, представляющие динамические нагрузочные линии, измеренные при разных значениях ВЧ-мощности, смещения и выходного импеданса, передаются в модуль извлечения моделей в IC-CAP 2016. Здесь выполняется извлечение модели с помощью технологии искусственной нейронной сети, после чего полученная модель может непосредственно использоваться в САПР ADS.
Другой важной особенностью САПР IC-CAP 2016 является повышенная скорость измерений с инструментальными драйверами для приборов Keysight E5270, B1500A и B1505A – до трёх раз по сравнению с предыдущими версиям. Такая скорость позволяет быстрее собрать большие объёмы данных, на что обычно уходит много времени, так как измерения выполняются с высокой точностью. Кроме того, в IC-CAP 2016 были добавлены новые инструментальные драйверы для поддержки анализатора импеданса Keysight E4990 и анализатора электрических цепей E5061B.
Дополнительная информация о САПР IC-CAP 2016 приведена на странице www.keysight.com/find/eesof-iccap2016.01. Изображения высокого разрешения представлены по ссылке www.keysight.com/find/DeviceModeling2016_images.
ПО MBP и MQA 2016
Программное обеспечение Keysight MBP 2016 представляет собой универсальное решение, обеспечивающее автоматическое и гибкое высокопроизводительное моделирование, а ПО MQA 2016 предлагает полное решение и интегрированную среду для проверки, сравнения и документирования библиотек моделей SPICE, предназначенную для разработчиков, не имеющих собственных производственных мощностей, вертикально интегрированных (IDM) и контрактных производителей ИС. Модуль извлечения моделей, входящий в состав ПО MBP 2016, был модернизирован так, чтобы обеспечить поддержку промышленного стандарта BSIM-IMG версии 102.6. Он поддерживает структуру FDSOI (полностью обеднённый кремний на изоляторе), широко применяемую в технологиях менее 28 нм, причём компания Keysight продолжает работать над созданием технологий моделирования, использующих модель Leti-UTSOI.
«Мы продолжаем финансировать разработку платформ для моделирования полупроводниковых приборов, уделяя особое внимание эффективности и новым технологиям, таким как DynaFET и FDSOI, – сказал Роберто Тинти (Roberto Tinti), менеджер по средствам моделирования компании Keysight. – Мы стремимся к тому, чтобы инженеры тратили как можно меньше времени на создание высококачественных моделей. Кроме того, мы продолжаем сотрудничать с исследовательскими лабораториями Keysight и ключевыми партнёрами для разработки готовых решений моделирования передовых технологий на базе наших платформ».
Помимо всего прочего, в состав ПО MBP 2016 входит новый модуль статистической угловой настройки, который дополнительно повышает эффективность повседневного моделирования. Модуль содержит все необходимые компоненты для настройки или автоматической оптимизации, включая готовые цели и графики.
ПО MQA 2016 обеспечивает улучшенную поддержку расширенной библиотеки 16-нанометрового интерфейса моделирования TSMC (TMI) и смешанного синтаксиса SPICE. Последняя функция очень важна, поскольку с уменьшением технологических норм библиотеки моделей SPICE становятся всё сложнее и сложнее. Кроме того ПО MQA 2016 поддерживает 64-разрядные операционные системы, что предоставляет возможность загрузки данных и управления библиотеками моделей большого объёма.
Дополнительная информация о ПО MBP 2016 и MQA 2016 приведена на страницах www.keysight.com/find/eesof-mbp2016.01 и www.keysight.com/find/eesof-mqa2016.01.